Компании Hynix и SanDisk анонсировали совместную разработку принципиально нового типа памяти — High Bandwidth Flash (HBF). Новый стандарт призван занять нишу между высокоскоростной HBM (High Bandwidth Memory) и традиционными SSD-накопителями, предлагая уникальное сочетание производительности и ёмкости для задач искусственного интеллекта.
HBF создаётся на базе NAND-флеш-памяти, но использует архитектуру, схожую с HBM: кристаллы укладываются в многослойные стеки и соединяются через сквозные кремниевые переходы (TSV). Это позволяет добиться пропускной способности, сопоставимой с HBM, но при этом значительно увеличить объём хранимых данных.
Первый этап разработки предполагает достижение следующих характеристик:
- Пропускная способность: до 1,6 ТБ/с.
- Ёмкость одного кристалла: 256 Гбит.
- Объём 16-слойного стека: 512 ГБ.
- Энергопотребление и габариты: максимально близки к стекам HBM4.
Главное преимущество HBF перед HBM — ёмкость. По предварительным оценкам, новые модули смогут предложить в 8–16 раз больше памяти при аналогичной скорости и сопоставимой стоимости. Это критически важно для современных систем ИИ, где узким местом часто становится именно объём быстрой памяти, а не вычислительная мощность.
Для координации работ компании создали проект в рамках Open Compute Project — открытой платформы для стандартизации аппаратных решений. Это позволит привлечь к разработке других вендоров и ускорить внедрение HBF в индустрию.
Аналитики отмечают, что появление HBF может серьёзно изменить ландшафт рынка ускорителей ИИ. Сегодня HBM производится ограниченным кругом компаний (в первую очередь Hynix и Samsung) и стоит дорого. HBF на базе более доступной NAND-флеш может стать массовым решением для серверов следующего поколения.
Когда новая память появится в коммерческих продуктах, пока неизвестно — проект находится на ранней стадии. Однако сам факт сотрудничества Hynix и SanDisk и анонс конкретных целевых показателей говорит о серьёзности намерений. За HBM будущего, похоже, придётся потесниться.
Об авторе
