288-ядерный серверный процессор Xeon 6+ Clearwater Forest
Исследователи из Корнеллского университета совместно с компаниями TSMC и ASM разработали высокоточный метод просвечивающей электронной микроскопии, позволяющий получать трёхмерные изображения атомной структуры внутри каналов транзисторов. Впервые удалось напрямую увидеть мельчайшие дефекты — неровности на границе материалов, которые получили название «мышиные укусы». Эти дефекты формируются на этапе роста каналов и могут существенно влиять на движение электронов, особенно в устройствах, где ширина канала составляет всего 15–18 атомов.
В работе использовался электронный микроскоп с матричным детектором (EMPAD), разработанным в Корнелле. Система регистрирует рассеяние электронов с рекордным разрешением, что позволяет восстанавливать положение отдельных атомов в сложных многослойных структурах, например, в комбинациях кремния, диоксида кремния и оксида гафния. Новая методика позволяет отслеживать изменения структуры после каждого этапа технологического процесса (травление, осаждение, нагрев), что даёт производителям инструмент для точной диагностики и оптимизации параметров на атомном уровне.
Открытие имеет значение не только для массовых микросхем, используемых в смартфонах, серверах и ИИ-центрах, но и для квантовых компьютеров, где контроль над атомной структурой особенно важен. Авторы подчёркивают, что новая методика станет важным инструментом для поиска и устранения дефектов на ранних этапах разработки чипов, а также для фундаментальных исследований в области материаловедения.
Об авторе
