Исследователи Корейского института передовых технологий KAIST разработали программируемый полупроводниковый элемент, способный аппаратно подстраивать скорость реакции под темп поступающих данных. Технология может стать основой более энергоэффективных ИИ-чипов для роботов, беспилотных автомобилей, носимой электроники и других устройств, которым приходится обрабатывать информацию в реальном времени.
Исследователи Корейского института передовых технологий KAIST разработали программируемый полупроводниковый элемент, способный аппаратно подстраивать скорость реакции под темп поступающих данных. Технология может стать основой более энергоэффективных ИИ-чипов для роботов, беспилотных автомобилей, носимой электроники и других устройств, которым приходится обрабатывать информацию в реальном времени.
Новый компонент получил название PDM (Programmable Dynamic Memtransistor) — программируемый динамический мемтранзистор. Он сочетает функции транзистора и элемента памяти: выполняет вычисления и одновременно сохраняет заданные характеристики без постоянной подачи питания.
Главное отличие PDM от обычных полупроводниковых компонентов заключается в возможности программировать скорость его реакции на входной сигнал. У традиционного элемента характеристики фиксированы после производства, а PDM можно настроить на работу с быстро или медленно меняющимися данными.
Для систем, работающих с информацией из реального мира, это особенно важно. Например, датчики робота могут одновременно фиксировать резкое движение, продолжающееся доли секунды, и медленное изменение положения объекта. Обычным системам приходится компенсировать такую разницу программными методами, что увеличивает вычислительную нагрузку и энергопотребление.
Об авторе
