Полупроводник с рекордной шириной зоны запрета
Рекорд свыше 7 эВ
В публикации News & Views от 7 октября Хиронори Окумура из Университета Цукуба обсуждает работу Стил и коллег, опубликованную в Nature, — полупроводник с самой большой зафиксированной зоной запрета, превышающей 7 электронвольт. Зона запрета — это энергия, необходимая для перевода электрона в проводящее состояние, и именно от неё зависят свойства полупроводника.
Материал
Это кремний-легированный альфа-фазовый оксид алюминия-галлия α-(AlxGa1−x)2O3. Результат вытесняет полупроводники в область, долгое время зарезервированную за изоляторами, с потенциальным применением как в электронике, так и в оптике. Исследование опубликовано 7 октября (DOI 10.1038/s41586-026-11085-3).
Для чего это нужно
Ультраширокозонные материалы критичны для силовой электроники, которая должна выдерживать условия, где обычный кремний и даже карбид кремния выходят из строя: это высокое напряжение и высокая температура. При этом надёжное производство полупроводников с такой широкой зоной запрета ранее оставалось труднодостижимым — новый результат снимает это ограничение.
Источник: Nature



