Отрыв сокращается
Китайские производители памяти стремительно сокращают технологическое отставание от мировых лидеров. По оценке Корейской ассоциации полупроводниковой промышленности (KSIA), сейчас Китай отстаёт от Южной Кореи примерно на год в производстве NAND, на два года в DRAM и около трёх лет в сегменте HBM. Ещё недавно разрыв оценивался примерно в пять лет.
Где быстрее всего
Быстрее всего Китай приближается к конкурентам во флеш-памяти: Samsung и SK hynix начали переход к NAND с более чем 300 слоями в 2025 году, а YMTC уже освоила 270-слойные чипы. В DRAM отставание составляет около двух лет — CXMT постепенно сокращает разрыв и уже выпускает LPDDR5X. С HBM сложнее: пилотное производство HBM3E начато, но выход годных микросхем пока лишь около 25%.
Без EUV
Ключевая особенность — китайские производители развивают память без доступа к передовым EUV-литографам, поставки которых в Китай заблокированы. Для ускорения разработки CXMT использует технологии X-Stacking от YMTC и гибридное соединение медь-медь. При этом Китай резко наращивает объёмы производства: через пару лет отрасль может выпускать около миллиона пластин ежемесячно. Напомним, спрос на чипы для ИИ продолжает расти — например, DeepSeek планирует заказать 160 тысяч ИИ-чипов Huawei.
Источник: iXBT
Об авторе
